OG东方

近日
，OG东方半导体正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型号：SG2MA35120B）及对应SOT227封装产品（型号：S1P04R120SSE）
，以满足客户在高机能、大功率利用的需要。图1和图2别离展示了该芯片单管SOT227封装 (图3）的输出和击穿个性曲线。在室温下
，该芯片电阻为3.5毫欧
，击穿电压不低于1600V。本产品通过设计和工艺的改进
，实现对芯片电流蹊径上高温散布电阻的优化
，出格是沟路电阻与N型区电阻的折中设计
，实现了优良的电阻温度系数。测试了局批注在175℃下芯片导通电阻仅为室温下电阻的1.5倍。

随着碳化硅（SiC）资料质量和造作技术的不休提升
，大电流、低导通电阻SiC功率芯片得以实现
，同时也将进一步简化功率？榉庾
，加快SiC在新能源汽车等领域的利用。本产品通过结构、工艺的优化设计
，显著降低了部门关键缺点对机能的影响；同时选取了更低的比电阻设计技术
，降低了同电阻下的芯单方面积
，从而使制品率降低趋向得以节造
，实现了大电流、低电阻芯片的量产。另一方面
，SiC MOSFET在大功率利用中
，容易受到各类滋扰的影响而产生栅极的误开启
，如高低管之间电容自充电引起的寄生开启（Parasitic Turn-on）
，以及分歧桥臂之间的串扰等。本产品通过对栅极微结构布局的优化
，一方面提升了输入电容C_iss与转移电容C_rss的比值
，另一方面提高了阈值电压
，从而实现对串扰的抑造。如图4所示
，产品在800V电压下的C_iss/C_rss的电容比达到580以上。图5比力了器件阈值电压和温度的关系
，在25℃下阈值电压达到3.2V
，175℃下阈值电压高于2V。在利用方面
，该芯片兼容18V与15V驱动电压
，适应分歧驱动电路的开发需要
，方便对IGBT在各类利用的直接代替。

      中国科学院电工钻研所基于芯片产品SG2MA35120B实现了低杂感半桥？榉庾
，双脉冲测试波形如图6所示。中国科学院电工钻研所钻研员宁圃奇暗示: “在中科院交叉团队项目和国度沉点研发打算新能源汽车专项项主张支持下
，该单颗芯片在环境温度为150°C且母线电压为800V时实现了350A的电流输出能力。本芯片出格合用于大功率车用电驱系统
，可有效抑造并联大数量幼电流芯片带来的不均流、不均温难题”。

Fig 6. 双脉冲测试波形。

OG东方半导体始终对峙技术引领
，推出的系列碳化硅产品以优异的机能和高靠得住性获得了宽大用户的一致认可。目前
，OG东方半导体已在750V、1200V、1700V、2000V等电压平台上实现数十种碳化硅器件的开发与量产
，并布局了美满的产能保险系统和严格的质量治理系统
，OG东方半导体将在中国碳化硅原创技术策源地和当先供给商的路路上不休获得新的突破。