OG东方

OG东方半导体以提供国际一流的碳化硅（SiC）功率器件为己任，致力满足新能源汽车及光伏等领域对高机能、高靠得住性的产品需要。自公司成立以来，通过拥有自主知识产权的独到技术持续优化SiC器件各方面机能，致力于打造对标国际当先水平的系列产品。 2022年9月29日我司1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方靠得住性验证，荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）靠得住性查核。据我司所知，这是国内初次SiC MOSFET产品可能同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双沉查核的公开报路。

      AEC-Q101是汽车行业最为沉要的的国际尺度之一，是国际汽车行业通用的技术规范，是汽车电子必须获得的认证之一。对于1200V耐压器件，其在高压高湿高温反偏（HTRB）查核尺度中耐压通常为100V；而在HV-H3TRB查核中耐压提高到960V，因而对器件的设计、造作及封装技术提出了极高的挑战。通过了HV-H3TRB靠得住性验证极大水平上代表功率器件在极端运行环境下的良好耐受能力及使用寿命，因而其逐步成为各大主流汽车及光伏储能厂家对高靠得住性功率器件的通用要求。

      这次通过该车规靠得住性认证，标志取我司产品质量迈入了国际当先水平，为公司在新能源汽车及光伏领域等市场的拓展奠定了坚实基础，是我司继成功量产分歧规格SiC MOSFETs（例如国内当先的15V驱动SiC MOSFETs和国内最低导通电阻的14毫欧SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事务。我司将以此为契机，实事求是，锐意进取，不休提升产品机能，为我国节能减排和新能源事业的发展贡献自己的力量。

      在此普天同庆的日子里，OG东方半导体祝福祖国繁华兴盛，人民幸福安康！